工业分析家Web-Feet研究有限公司证实，意法半导体（纽约证券交易所：STM）是全球第一大非易失性存储器（NVM）芯片供应商。Web-Fee于2005年3月公布了2004年NVM市场占有率的调查报告*，该报告数据显示ST的市场占有率提高了4.4%，在串行EEPROM制造商排名中居首位；另外在该公司今年第一次公布的串行闪存市场排名中也居榜首。2004年串行EEPROM市场增长近15%，超过了并行EEPROM的上涨的速度，ST的收入增长幅度惊人，达到32.5%，销售额达到2.24亿美元，以32%的市场占有率位居榜
意法半导体研制成功世界第一颗90nm制造技术的多标准硬盘驱动器物理层知识产权芯片
意法半导体（纽约证券交易所：STM）今天宣布该公司采用90nm制造工艺的（多接口PHY）物理层接口IP（知识产权）单元研制成功，这是世界上第一个支持串行ATA（SATA）磁盘驱动器以及Serial Attached SCSI (SAS)、Fibre Channel和PCI Express串口标准应用的宏单元，ST的工程师准备在系统级芯片(SoC)内集成这个单元以及其它功能，使驱动器制造商可以制造销售一个能够在多个驱动器内工作的IC，以此来降低产品成本。ST目前正在实施和验证90nm接口的设计，为今年下半年系
继2004年11月16日意法半导体（纽约证券交易所：STM）与海力士半导体（Bloomberg: 000660 KS）宣布签订合资建厂协议后，这两家世界大型半导体公司在中国江苏省无锡市举行了存储器芯片前端制造厂的奠基典礼，来自中韩两国的国家及省市地区的高级官员参加了典礼仪式。新的芯片制造厂将制造DRAM存储器和NAND闪存芯片，这个合资企业是ST与海力士的成功合作伙伴关系的合理延伸，它将使合资双方率先进入迅速增加的中国市场，还将使ST能够更好地满足特别是通信和消费电子市场领域重要客户的需求，为他们提供完整的存
ST研制成功世界第一颗90nm制造技术的多标准硬盘驱动器物理层知识产权芯片
意法半导体（ST）研制成功世界第一颗90nm制造技术的多标准硬盘驱动器物理层知识产权芯片 测试结果为新的MIPHY宏单元性能优异，新产品将集成到SATA、SAS、Fibre Channel和 PCI Express应用的系统级芯片设计中 中国， 2005年4月25日 – 意法半导体（纽约证券交易所：STM）今天宣布该公司采用90nm制造工艺的（多接口PHY）物理层接口IP（知识产权）单元研制成功，这是世界上第一个支持串行ATA（SATA）磁盘驱动器以及Serial Attached SCSI
意法半导体（ST）被证实是 2004年串行非易失性存储器市场的第一大制造商 Web-Feet最新的非易失性存储器市场报告数据显示， ST是串行EEPROM和串行闪存市场的第一大供应商 中国，2005年4月28日–工业分析家Web-Feet研究有限公司证实，意法半导体（纽约证券交易所：STM）是全球第一大非易失性存储器（NVM）芯片供应商。Web-Fee于2005年3月公布了2004年NVM市场占有率的调查报告*，该报告数据显示ST的市场占有率提高了4.4%，在串行EEPROM制造商排名中居
Cypress凭借其超群的总所有权成本、产品质量、技术上的支持和交货能力而得到了中国领先WAN公司的表彰 2005年5月13日北京讯 今天，赛普拉斯半导体公司(CypressSemiconductor)宣布被中国最大的WAN设备制造商之一、年收入达40亿美元的中兴通讯（ZTE）公司评定为SRAM和专用存储器的首选供应商。这一排名是根据各SRAM销售商在去年的总体业绩确定的。 据ZTE称，影响该排名的因素有很多，包括总所有权成本、产品质量、对ZTE要求
据外电报道，三星电子周三预期下半年个人计算机用DRAM的供给和需求将达到平衡，并认为2006年LCD面板的需求成长将持续降温。 三星在一份呈交南韩证交所的报告中表示，芯片制造商将制程升级至90奈米后，良率问题影响供给成长，加上部份产能挪用生产非DRAM产品，是下半年供需平衡的主因。 但有些分析师更乐观预期下半年DRAM的需求会微幅超过供应，并带动价格上扬，与其相较，SAMSUNG的看法还较为保守。自今年初以来，DRAM芯片在供给增加及需求疲弱的压力下，现货价格已重挫逾40%。多位分析师都预期第2季
5月11日消息，全球第二大半导体制造商三星电子预计2006年计算机内存芯片全球销售将步入连续第二年衰退。 三星电子在香港准备给投资人的文件中表示，动态随机存取内存DRAM销售今年将衰退4%，明年估计萎缩12%。 据港台新闻媒体报道，DRAM供过于求导致Infineon等制造商出现亏损。 三星电子表示，供过于求的情况将持续至第三季，第四季才也许会出现供需相符的情况。 三星电子
DDR-2内存如我们预期地目前已开始调整售价并可在下半年取代DDR内存在市场的主流位置，不过DDR-2内存众所周知目前主要的问题也在于其高延迟性（CL4/5）设计而大大影响了产品性能。如在同级的DDR与DDR-2内存对比当中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未来始终还是会得益于其高工作频率设定可达成更高的内存带宽而将取代最高不过667MHz的DDR，无论如何DDR-2的高延迟特性如不能得到一定改良的话其性能表现始终是不能有太大的突破，而这个情况
4月29日消息，韩国现代半导体（HynixSemiconductor）和意法半导体公司本周四在中国江苏省无锡市举行了高级内存芯片加工厂建设的破土动工仪式。 韩国时报报道，这个内存芯片加工厂是根据现代半导体和意法半导体去年11月份达成的合资企业协议建设的。这个合资企业将在今年年底投入商业性生产。无锡市在声明中称，这个工厂首先使用8英寸晶圆进行生产，然后在2006年晚些时候过渡到12英寸晶圆。这个工厂
Synopsys公司为其Galaxy测试解决方案推出DFT编译器和自动测试模式生成工具TetraMAX。其中DFT的快速扫描综合技术和标准测试DRC引擎可加速扫描插入与测试设计规则检查，从而使设计人员在极短的时间内完成测试性设计。而改进的TetraMAX ATPG算法将有利于数百万门设计中优化压缩的模式生成。
Renesas公司近期宣布加入由Cypress、Infineon及Micron三家公司联合倡导的CellularRAM标准联合开发组。CellularRAM产品被设计用来进行2.5G和3G手机设计，是一种嵌入式替换方案，引脚和功能都与用于当前手机设计中的异步低功耗SRAM兼容。
飞利浦电子公司发布了全球第一款DVD+R/+RW和硬盘驱动器结合的半导体参考设计。该参考设计基于 PNX7100 MPEG-2解码器，具有完整的硬件图单、材料单、业界标准的软件堆栈、全面的Nexperia Home开发工具包以及相关文件。为亚洲的消费电子OEM厂商提供了低材料成本及快速的上市时间。
摘 要：本文介绍了一种以TMS320C54x为核心的移动存储终端，终端中使用NAND Flash作为存储器件。讨论了TMS320C54x对NAND Flash的编程以及接口设计。关键词：DSP；NAND；Flash 引言移动存储终端包括手机、掌上电脑、PDA和数码相机等手持设备及各种信息家电。在这类产品中既要结合存储功能，又需要具备一定的信号解决能力，因此基于DSP芯片的设计的具体方案成为这一些产品的主流方案。同时，为降低产品成本，采用具有较高容量/价格比的NAND Fla
按惯例，设计人员总把SRAM 作为其最基本的形式，即单端口、单时钟域器件。在需要更高性能时，设计人员通常会选择更高的时钟频率和更宽的总线。尽管这样做才能够明显提高 SRAM 性能，但却并不是唯一的方法。我们也可以开发用于先进通信系统的存储器，这就将工作重点转向了带宽，而不是时钟频率。存储器带宽的定义为：给定时间内可通过器件访问的数据量。通常单位为Mbps乃至极高性能存储器的Gbps。带宽的主要组成部分为 I/O 速度、接入端口宽度以及存储器可用的接入端口数量。用以下简单的方程式可计算出带宽：带宽=I/O速度
什么是存储器 存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。 存储器的构成 构成存储器的存储介质，目前主要是采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [查看详细]
MCU对EEPROM存储器的固定地址进行频繁写入操作，是否会影响其它单元的寿命？
