，内置电流隔离功能，用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。上篇中我们介绍了NCD(V)5700x的输入(IN)和输出(OUT)信号、输入偏置电源(VDD1)、输出正负偏置电源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和结温(TJ)、欠压闭锁(UVLO)和就绪(RDY)和去饱和(DESAT)保护和软关断(STO)这六个部分的参数、功能和设计技巧。
这篇文章我们将着重关注NCD(V)5700x的考虑使用外部BJT缓冲器实现软关断(STO)、用于偏置电源的齐纳分离式稳压器、栅极驱动电路中的箝位二极管、布局布线考虑等内容。
外部 BJT 缓冲器可提升驱动电流，因而大范围的使用在驱动具有较大栅极电荷的较高电流功率半导体器件。为了从缓冲器获得更高的驱动电流，BJT 须具备极高的直流增益。此外，利用低值基极电阻 (RB) 来为缓冲器提供高基极电流。典型应用电路如图 28 所示，这中间还包括内部功率开关和 STO 开关。虽然较低基极电阻值有助于实现更高的驱动电流，但它仍必须充足高，以限制去饱和情况下的基极电流。由于这种折衷，软关断可能无法在短路情况下充分抑制过压尖峰。图 29 显示了正常工作情况下以及 DESAT 激活时软关断情况下的电流路径。
为了降低基极电流，额外的 RC 网络可以在基极电阻和 OUT/L 节点之间产生电压。此额外电压节点能够更好的降低 DESAT 情况下的基极电流，并防止 PNP BJT (QL) 进入硬饱和状态，允许其缓慢导通。额外 RC 网络的原理图如图 30 所示。电压和电流的近似方程如下所示。
REX根据栅极驱动器IC 中拉电流/灌电流 MOSFET 的电流应力而得到。它需要折衷考虑电流应力和 Vx(t)。通常，REX值应小于 RB或等于RB。CEX值根据 REX的功耗而得到，它仍须有充足的时间常数以让 Vx(t)缓慢衰减。如果 CEX较高，软关断 (STO) 将更容易实现。一般而言， REX将是固定值，而 CEX可调，以使 IGBT 在短路情况下软关断。
具有额外 RC 网络（REX和 CEX）的外部 BJT 缓冲器的示例电路如图 31 所示。比较波形如图 32（无 RC 网络）和图 33（有 RC 网络）所示。这些 RC 波形表明，在 DESAT 情况下，RC 网络具有在 IGBT 栅极产生软关断波形的效果。RC 网络的设计应确保正常运行时不可能影响驱动。图 34 和图 35 显示，使用选择的 REX和 CEX值时，RC 网络不影响导通上升时间；图 36 和图 37 显示关断下降时间的结果也一样。
作为偏置栅极驱动器的经济高效方案，齐纳分离式稳压器大范围的使用在多种应用中，因为它降低了变压器中的绕组并减少了元件。它能够准确的通过驱动器偏置要求（包括负偏置 VEE2）从单极性电压产生正偏置和负偏置电压。
正偏置为栅极驱动器的 VDD2供电，负偏置为 VEE2供电。VDD2电压被齐纳二极管的齐纳击穿电压箝位，VEE2电压将是总直流输出电压中的剩余电压。据此，齐纳二极管必须击穿以在所有负载电流范围内维持VDD2的正电压，否则正电压和负电压无法如预期的那样维持，而是上下摆动，导致 UVLO 触发的风险。等效电路如图 39 所示。
NCD(V)5700x 系列在不同输入信号频率和负载电容下的正负偏置电源电流（IDD2和 IEE2）已显示在图 7 和图 8 中。它能转换为正负偏置的等效负载电阻 RL(VDD2)和 RL(VEE2)。为了确认和保证齐纳二极管击穿，偏置电阻须满足下式。
确定偏置电阻 RB后，应关注最大直流齐纳电流 (IZM)。一定要考虑齐纳二极管和 RB的功耗限制。应考虑器件容差以充分维持 VDD2 VZD。齐纳二极管的额定功率和偏置电阻可以得知，推荐使用的齐纳二极管如表 4 所示。
由于布局和器件封装的原因，电源环路和驱动环路中的寄生电感很难避免。驱动环路中的峰值驱动电流越高，或者电源环路中的功率器件电流越高，di/dt 就会越高。此更高 di/dt 会通过寄生电感 (Lk) 产生更高 dv/dt，并且该快速瞬态电压可能高于正偏置 (VDD2) 或低于负偏置 (VEE2)，导致高频循环电流进入栅极驱动器。高频循环电流路径如图 40（正 di/dt）和图 41（负 di/dt）所示。建议添加箝位二极管，如图 42 所示。高频循环电流可以直接通过偏置电容，而不是进入栅极驱动器。此外，正箝位二极管 (DC(VDD2)) 可以维持 IGBT 栅极电压等于偏置电压，以防止栅极电压上升以及在短路情况下产生更高的峰值短路电流。
为了获得良好的抗扰度并实现稳定工作，使用栅极驱动器的应用一定要考虑布局和布线。导通和关断的驱动电流路径如图 43 所示。此图显示了从栅极驱动器到功率器件的主要驱动环路。驱动环路应尽可能小并且阻抗较低，以减小环路的杂散电感。此高驱动电流路径仅经由偏置电容和内部 MOSFET 到达 IGBT 栅极。偏置电容须尽可能靠近栅极驱动器的 VDD2 和 VEE2 引脚引线。返回路径有一个低阻抗走线或平面以连接 IGBT 的发射极。
考虑到高质量去饱和检测，防止高 dV/dt 和 dI/dt 引起的串扰噪声在大功率应用中很重要。去饱和检测环路和驱动环路应分开，以避免串扰噪声进入。在图 44 所示的原理图中，接地电阻 RGND 将信号偏置电容 C、CVEE2(S) 与驱动偏置电容 CVDD2(P)、CVEE2(P)分开。对于去饱和保护而言，从 IGBT 集电极到发射极的该单独检测走线拥有非常良好的抗扰度。信号电容 CVDD2(S)和 CVEE2(S)的建议值为至少 1.0 μF，驱动电容 CVDD2(P)和 CVEE2(P)的建议值至少为 10 μF，接地电阻 RGND的建议值为 4.7 Ω 以上。推荐布局布线（无 BJT 缓冲器）和图 46（有 BJT 缓冲器）所示。
这两篇应用笔记中中我们介绍了NCD(V)5700x 在系统应用中以下部分的参数、功能和设计技巧：
